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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子/電池 |
太陽能電池載流子特性分析系統(tǒng)
| 詳細(xì)說明： | |||
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近年來, 有機(jī)半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的研究和開發(fā)取得了日新月異的進(jìn)展，其中有機(jī)電致發(fā)光二極管、有機(jī)薄膜晶體管、有機(jī)太陽能電池、有機(jī)存儲(chǔ)器、有機(jī)傳感器、有機(jī)激光器等相關(guān)有機(jī)半導(dǎo)體材料與器件的研究取得了大量的研究成果。隨著有機(jī)半導(dǎo)體材料與器件研究和開發(fā)的深入, 有機(jī)半導(dǎo)體中載流子的傳輸能力是影響有機(jī)半導(dǎo)體器件性能的一個(gè)重要的因素。衡量有機(jī)半導(dǎo)體材料載流子傳輸能力的主要參數(shù)是載流子遷移率u, 它直接反映了載流子在電場(chǎng)作用下的運(yùn)動(dòng)能力, 因此載流子遷移率的測(cè)量是有機(jī)半導(dǎo)體材料與器件研究中的重要內(nèi)容。 我公司推出有機(jī)太陽能電池OPV、鈣鈦礦太陽能電池、OLED器件和其他有機(jī)半導(dǎo)體器件載流子遷移率測(cè)量系統(tǒng)。
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太陽能電池載流子特性分析系統(tǒng)
? 主要應(yīng)用：
* 無機(jī)半導(dǎo)體光電器件，有機(jī)半導(dǎo)體光電器件；
* 有機(jī)太陽能電池OPV；
* 鈣鈦礦太陽能電池Perovskite Solar Cell，鈣鈦礦LED；
* 無機(jī)太陽能電池（例如：?jiǎn)尉Ч琛⒍嗑Ч琛⒎蔷Ч璧裙杌柲茈姵兀?br/> * 染料敏化太陽能電池DSSC；
? 主要測(cè)量功能：
* 功率點(diǎn)MPP、FF、Voc、Isc、VS 光強(qiáng)，遷移率（I-V測(cè)試 & I-V-L測(cè)試，空間電荷限制電流SCLC法）
* 載流子密度，載流子動(dòng)力學(xué)過程（瞬態(tài)光電流法 TPC）
* 載流子壽命，載流子符合動(dòng)力學(xué)過程（瞬態(tài)光電壓/瞬態(tài)開路電壓法 TPV）
* 載流子遷移率（暗注入瞬態(tài)法 DIT，單載流子器件&OLED）
* 串聯(lián)電阻，幾何電容，RC時(shí)間（電壓脈沖法 Pulse Voltage）
* 參雜密度，電容率，串聯(lián)電阻，載流子遷移率（暗態(tài)線性增加載流子瞬態(tài)法 Dark-CELIV）
* 載流子遷移率，載流子密度（光照線性增加載流子瞬態(tài)法 Photo-CELIV）
* 載流子復(fù)合過程，朗之萬函數(shù)復(fù)合前因子（時(shí)間延遲線性增加載流子瞬態(tài)法 Delaytime-CELIV）
* 不同工作點(diǎn)的載流子強(qiáng)度，載流子遷移率（注入線性增加載流子瞬態(tài)法 Injection-CELIV）
* 幾何電容，電容率（MIS線性增加載流子瞬態(tài)法 MIS-CELIV）
* 陷阱強(qiáng)弱度，等效電路（阻抗譜測(cè)試 IS）
* 遷移率，陷阱強(qiáng)弱度，電容，串聯(lián)電阻（電容VS頻率 C-f）
* 內(nèi)建電壓，參雜濃度，注入勢(shì)壘，幾何電容（電容VS電壓 C-V）
* 點(diǎn)亮電壓（電流電壓照度特性 I-V-L）
* 發(fā)光壽命，載流子遷移率（瞬態(tài)電致發(fā)光法 TEL）
-整合了DC，AC and Transient mode
用于太陽能電池/OLED器件載流子特性測(cè)量與分析，通過對(duì)器件的變光強(qiáng)J-V曲線、瞬態(tài)光電流譜TPC，瞬態(tài)光電壓譜TPV、線性增壓載流子抽取Photo-CELIV、強(qiáng)度調(diào)制光電流譜IMPS、強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜IMVS、阻抗譜IS、電容電壓譜CV、深能級(jí)瞬態(tài)譜DLTS等進(jìn)行測(cè)量分析，表征器件的載流子遷移率、載流子壽命和濃度、載流子動(dòng)力學(xué)過程、摻雜和陷阱分布等性能參數(shù)，從而對(duì)太陽能電池/OLED器件和其他有機(jī)半導(dǎo)體中的載流子遷移率進(jìn)行有效的分析和測(cè)量。
測(cè)量參數(shù)
• Charge carrier mobility載流子遷移率
• Carrier lifetime載流子壽命
• Recombination efficiency復(fù)合效率
• Charge injection barriers電荷注入勢(shì)壘
• Geometric capacitance幾何電容
• J-V Curve電流-電壓曲線
• J-V-L 電流-電壓-亮度曲線
• Pmax、FF、Voc、Isc VS光強(qiáng)曲線
• Carrier lifetime載流子壽命
• Trap density陷阱密度
• Trap depth陷阱深度
• Doping density摻雜濃度
• Series resistance串聯(lián)電阻
• Electrical permittivity介電常數(shù)
• Built-in voltage內(nèi)建電場(chǎng)
• Emitter lifetime (OLED)發(fā)射壽命
• 軟件后處理功能：可獲得更豐富的測(cè)試數(shù)據(jù)
測(cè)量曲線：
技術(shù)規(guī)格
• 采樣率：60MS/s
• 時(shí)間分辨率：16ns
• 頻率范圍：10mHz to 10MHz
• 電流分辨率：＜100pA
• LED上升時(shí)間：100ns
• 電流范圍：100mA
• 電壓范圍：±12V
可選功能
• Solar Cell Version or/and OLED Version
• Multi-LED模塊:360nm~1100nm for EQE
• 變溫測(cè)試臺(tái)：-120 °C to 150 °C（多種可選）
• 光譜儀：OLED器件發(fā)光光譜測(cè)量
• SMU 擴(kuò)展模塊: 電壓±60V，電流分辨1pA
