低溫寬頻介電測量系統

低溫寬頻介電測量系統當通過LCR Meter或者分析儀（Agilent/Keysight 4284A, E4980A,4294A）測量介電常數時，加載電壓通常1V左右；然而，很多壓電陶瓷（PZT）和高分子（PVDF）對于加載的電場具有非線性響應；通常它們的介電常數和損耗因子在高壓下變得更低。

非線性介電響應：
      -當通過LCR Meter或者分析儀（Agilent/Keysight 4284A, E4980A,4294A）測量介電常數時，加載電壓通常1V左右；然而，很多壓電陶瓷（PZT）和高分子（PVDF）對于加載的電場具有非線性響應；通常它們的介電常數和損耗因子在高壓下變得更低。
      -在很多應用中，例如電容器和驅動器，介電層>10V/um或者100V/um的高電場下工作，它們的有效介電常數和損耗tanδ是非常不用于普通LCR Meter和阻抗分析儀的測量值@1Vrms。
      -在介電測試過程中直接加載一個高壓信號，如果樣品突然發生介電擊穿，這對于昂貴的LCR Meter有很大的損壞風險。

因此美國Polyk Technologies公司研發了此款寬頻譜介電測量系統，有效的避免了上述問題的發生。

低溫寬頻介電測量系統

技術規格：
1）大電壓：±4000V；
2）大電流：±20mA；
3）頻率范圍：100Hz to 1MHz；
4）電容范圍：100pF to 100nF；
5）溫度范圍：-184℃ to 250℃；

6）溫度控制腔室：-75℃ to 200℃，無需液氮；（可選）

7）溫度控制腔室：室溫 to 1000℃；（可選）
8）寬頻范圍：20 Hz to 1 MHz or 110 MHz, or 0.01 Hz to 1 MHz(與配備的阻抗分析儀相關);（可選）
9）Large AC信號單元；（可選）